(资料图片)

第32届国际物理设计研讨会（ISPD2023）于2023年3月26日至29日在线举行，来自世界各地的顶尖研究人员和下一代设计师每年都会聚集在一起，进行未来芯片的物理设计。半导体制造工艺技术的进步继续将工艺光刻的极限推向深纳米领域，以获得更好的性能、功率和面积，遵循摩尔定律。各种器件都采用了异构集成，以实现更好的系统级电源性能成本权衡和更高的性能。

2023年3月28日上午，台湾国立清华大学的林本坚（Burn J.Lin）教授在主题演讲“浸没和极紫外光刻：支撑单个数字纳米节点的两大支柱Immersion & EUV Lithography: Two Pillars to Sustain Single-DigitNanometer Nodes”中表示，半导体技术已经发展到电路元件的单个数字纳米节点（7/5/3/2nm）, 最小特征尺寸已达到亚波长尺寸。

业界已经开发了许多分辨率增强技术来扩展光学光刻系统的分辨率极限，包括照明优化、相移掩模和接近校正。不用说，成像透镜的光化波长和数值孔径已经分阶段降低。最近的创新是浸没光刻和极紫外（EUV）光刻。林本坚在演讲中介绍了浸没光刻的工作原理、优点和挑战。通过展示可能的原因和解决方案来解决缺陷问题。介绍了将浸没光刻技术推向个位数纳米级的电路设计问题。同样，给出了EUV光刻的工作原理、优点和挑战。特别关注EUV的功率需求、发电和配电；EUV掩模组件、吸收体厚度、缺陷、平坦度要求和薄膜；EUV抗蚀剂在灵敏度、线边缘粗糙度、厚度和抗蚀刻性方面面临挑战。

林本坚表示，微缩变得非常困难。我们还没有达到最终的缩放物理极限，但很难解决叠加错误。

关键词：